zeftera.ru.

«Самсунг» начала создание 30-нанометровой флеш-памяти

«Самсунг» logo «Самсунг» Электроникс сегодня рассказала о конце первого во всем мире многочисленного создания 30-нанометровых модулей флеш-памяти на основе технологии MLC (Mult Level Cell) для применения в SSD-накопителях, флеш-картах и разных сменных носителях.

На данный момент «Самсунг» считается самым крупным во всем мире изготовителем флеш-памяти формата NAND. В отделе связи с общественностью организации сообщили о том, что пока производительности новой производственной линии запущены не целиком, 100%-ная закачка предполагается к концу года.

Известно, что на свежих автозаводах организация применяет целиком модернизированное оснащение и ряд технических нововведений, реализованных в самих чипсетах памяти.

Первыми 30-нм чипами будут 8-гигабайтные карты памяти microSD для применения в мобильных телефонах, фотокамерах и плеерах. В данных картах на одну ячейку модуля сохраняется до 3-х бит данных. «3-битные модули NAND MLC дают возможность помещать данные до 50% крепче по сравнению с традиционными двухбитными примерами. На практике это позволит пользователям помещать на накопителях гораздо больше данных, снимков и держать HD-видео», — рассказывают в «Самсунг».

В организации также рассказали, что приобрели ориентировочные заявки наизусть от организаций Hewlett-Packard, Нокия, RIM, Seagate, Dell, Sun Microsystems, и начинающего рынка Фьюжн i-o.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *